第三代半导体材料研究及测试分析网络研讨会

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演讲嘉宾：周圣军邵伟华邓二平

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课程介绍
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常见问题

以SiC和GaN等为代表的第三代半导体材料有高频、高效、高功率密度等优势，逐步受到市场的关注，作为半导体领域的新秀，第三代半导体被寄予厚望。

SiC和GaN前景诱人，市场确定性强，但仍然在发展的初期阶段。目前整个工艺的发展和市场应用正在快速发展中，技术和成本是行业当下面临的挑战。一方面，第三代半导体器件SiC 或GaN的技术大大扩展了器件参数分布的区间，覆盖了以往没有出现过的高压高速区域，对器件的测试工具提出非常严苛的挑战；另一方面，第三代半导体材料外延等方面，如何降低衬底缺陷，提高良率，做到大尺寸、低成本等问题也需要尽快解决。

基于此，粉体公开课于2022年8月25日举办“第三代半导体材料研究及测试分析网络研讨会”，为第三代半导体从业者、检测人员和专家学者提供一个交流的空间。

讲师介绍

周圣军

教授

周圣军，武汉大学教授、博士生导师，国家高层次人才项目（青年）入选者。2011年在上海交通大学获得博士学位。长期从事GaN基半导体光电子器件设计与制造技术研究，主持国家和省部级课题10余项，在Nano Energy、Nanoscale、Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters等期刊发表第一或通讯作者SCI论文87篇，主编学术专著2部（科学出版社和Springer出版社），获授权国家发明专利26项，研究成果被国际著名半导体行业媒体《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报道17次。获中国产学研合作创新奖和IAAM Scientist Medal。

邵伟华

博士

邵伟华，工学博士。南京工程学院工业中心、创新创业学院讲师。主要从事新型电力电子器件封装集成及应用的研究工作。主持江苏省高等学校自然科学基金项目一项，江苏省配电网智能技术与装备协同创新中心开放基金项目一项。先后参与国家重点研发计划“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”、国家自然科学基金“车用多芯片并联SiC模块电热应力分布规律和调控方法研究”等项目的研究工作，发表SCI、EI论文二十余篇。所在团队获批2021年度江苏省高校优秀科技创新团队，2021年入选江苏省科技厅“科技副总”计划。

邓二平

教授

邓二平(1989)，男，教授，博士，“黄山学者”优秀青年，中国能源学会专家委员，2013年哈尔滨工业大学获得学士学位，2018年华北电力大学获得博士学位，2018年6月留校任教(2018年~2022年华北电力大学)，2018年10月，德国开姆尼茨工业大2年学博士后，2022年5月，合肥工业大学教授。第二完成人获2021年电工技术学会技术发明二等奖1项，主持、参与多项国家项目和企业项目(30余项)，发表高水平论文70余篇，其中SCI检索论文30余篇，申请专利30余项。研究方向为功率器件(IGBT、SiC MOSFET和GaN器件)封装、可靠性和失效机理研究，如可靠性测试方法、测试技术、失效分析以及寿命状态监测等。

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