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碳化硅器件的动态性能表征
碳化硅器件的动态性能表征

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主讲人:邵伟华   博士   南京工程学院
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报告摘要:

   与硅器件相比,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)具有更低的开关损耗,更高的开关速度。但是,其高速开关过程的寄生参数敏感性、短路耐受能力短等问题也给应用带来巨大挑战。因此,对其电气特性进行测试表征可以有效指导应用,基于电感钳位双脉冲测试电路可以测试器件的导通、关断时间,导通关断损耗等关键参数,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。


讲师介绍
邵伟华

博士

邵伟华,工学博士。南京工程学院工业中心、创新创业学院讲师。主要从事新型电力电子器件封装集成及应用的研究工作。主持江苏省高等学校自然科学基金项目一项,江苏省配电网智能技术与装备协同创新中心开放基金项目一项。先后参与国家重点研发计划“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”、国家自然科学基金“车用多芯片并联SiC模块电热应力分布规律和调控方法研究”等项目的研究工作,发表SCI、EI论文二十余篇。所在团队获批2021年度江苏省高校优秀科技创新团队,2021年入选江苏省科技厅“科技副总”计划。

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