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报告摘要:
目前功率器件(也称为电力电子器件)进入新的发展和应用时期,低功耗、高压、高频、高效率为新型功率器件的主要特征和典型优势。作为第三代半导体的重要代表,氮化镓(GaN)因其优秀的材料特性,已经受到学术界和产业界的广泛重视。其独特的二维电子气沟道在制作高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件方面具有性能优势,而大面积硅衬底的应用又使其在产品推广方面具有成本优势。本次报告将主要介绍氮化镓功率器件的技术特点、现状、瓶颈、产业应用等方面内容。第三代半导体氮化镓功率器件产品的春天已经来临。
教授、博导
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