氮化铝陶瓷具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性，与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点，使其成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装理想材料。
随着5G时代到来，传统的氧化铝陶瓷基片无法满足耐受高速、高温的电路基片要求，氮化铝陶瓷基片耐高温、延展性等性能可达到氧化铝陶瓷基片的10倍，完全符合高速网络时代电路基片要求，将成为5G手机基片的成熟替代产品。
然而，我国目前高性能的氮化铝粉基本依赖进口，不仅价格高昂，而且存在原材料断供的风险，因此，研究氮化铝粉体制备技术，实现高性能氮化铝制造技术的国产化，成为当务之急。
为促进氮化铝陶瓷基板产业技术的发展，中国粉体网旗下粉体公开课平台将于近期举办“ 第二届氮化铝陶瓷粉体及基板技术系列研讨会”，为企业院校、科研技术人员提供一个在线交流平台。
教授，博士生导师
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