报告摘要:
与硅器件相比,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)具有更低的开关损耗,更高的开关速度。但是,其高速开关过程的寄生参数敏感性、短路耐受能力短等问题也给应用带来巨大挑战。因此,对其电气特性进行测试表征可以有效指导应用,基于电感钳位的双脉冲测试电路可以测试器件的导通、关断时间,导通关断损耗等关键参数,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
博士
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