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SiC MOSFET功率器件可靠性测试方法和评估
SiC MOSFET功率器件可靠性测试方法和评估

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主讲人:邓二平   教授   合肥工业大学
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报告摘要:

SiC MOSFET由于材料的优势使得近几年得到大力发展,但由于存在栅氧可靠性问题,使得其可靠性测试方法需要进行重新评估。本报告首先介绍了SiC器件的结温测试方法和注意事项,然后介绍了功率循环测试方法、寿命评估和差异分析,最后针对多应力工况条件下,尤其是湿度对SiC器件键合线的腐蚀问题进行了介绍,结果表明湿度对功率器件的可靠性存在很大的影响,未来应重点考虑。


讲师介绍
邓二平

教授

邓二平(1989),男,教授,博士,“黄山学者”优秀青年,中国能源学会专家委员,2013年哈尔滨工业大学获得学士学位,2018年华北电力大学获得博士学位,2018年6月留校任教(2018年~2022年华北电力大学),2018年10月,德国开姆尼茨工业大2年学博士后,2022年5月,合肥工业大学教授。第二完成人获2021年电工技术学会技术发明二等奖1项,主持、参与多项国家项目和企业项目(30余项),发表高水平论文70余篇,其中SCI检索论文30余篇,申请专利30余项。研究方向为功率器件(IGBT、SiC MOSFET和GaN器件)封装、可靠性和失效机理研究,如可靠性测试方法、测试技术、失效分析以及寿命状态监测等。

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