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主讲人:周圣军 教授
武汉大学
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报告摘要:
GaN基LED具有发光波长可调、发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点,在汽车照明、高分辨率显示、可见光通信、光遗传、通用照明等领域具有重要的应用价值。介绍了利用MOCVD原位生长技术、激光加工技术、ICP刻蚀技术、TMAH湿法腐蚀技术在LED芯片的不同位置制备微纳光学结构,提升了LED芯片的光提取效率。通过InGaN/GaN超晶格提升了绿光LED芯片的外量子效率。开发溅射AlN成核层/图形衬底模板技术,降低了氮化物材料位错密度,为发展高效率紫外LED提供技术支撑。
教授
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