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GaN基LED外延生长和芯片制造技术

主讲人:周圣军  教授

武汉大学

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报告摘要:

GaNLED具有发光波长可调、发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点,在汽车照明、高分辨率显示、可见光通信、光遗传、通用照明等领域具有重要的应用价值。介绍了利用MOCVD原位生长技术、激光加工技术、ICP刻蚀技术、TMAH湿法腐蚀技术在LED芯片的不同位置制备微纳光学结构,提升了LED芯片的光提取效率。通过InGaN/GaN超晶格提升了绿光LED芯片的外量子效率。开发溅射AlN成核层/图形衬底模板技术,降低了氮化物材料位错密度,为发展高效率紫外LED提供技术支撑。


讲师介绍
周圣军

教授

周圣军,武汉大学教授、博士生导师,国家高层次人才项目(青年)入选者。2011年在上海交通大学获得博士学位。长期从事GaN基半导体光电子器件设计与制造技术研究,主持国家和省部级课题10余项,在Nano Energy、Nanoscale、Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters等期刊发表第一或通讯作者SCI论文87篇,主编学术专著2部(科学出版社和Springer出版社),获授权国家发明专利26项,研究成果被国际著名半导体行业媒体《Semiconductor Today》和《Compound Semiconductor》专栏报道17次。获中国产学研合作创新奖和IAAM Scientist Medal。

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