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SiC MOSFET功率器件可靠性测试方法和评估
主讲人：邓二平 教授
合肥工业大学
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报告摘要：
SiC MOSFET由于材料的优势使得近几年得到大力发展，但由于存在栅氧可靠性问题，使得其可靠性测试方法需要进行重新评估。本报告首先介绍了SiC器件的结温测试方法和注意事项，然后介绍了功率循环测试方法、寿命评估和差异分析，最后针对多应力工况条件下，尤其是湿度对SiC器件键合线的腐蚀问题进行了介绍，结果表明湿度对功率器件的可靠性存在很大的影响，未来应重点考虑。
讲师介绍
邓二平
教授
邓二平(1989)，男，教授，博士，“黄山学者”优秀青年，中国能源学会专家委员，2013年哈尔滨工业大学获得学士学位，2018年华北电力大学获得博士学位，2018年6月留校任教(2018年~2022年华北电力大学)，2018年10月，德国开姆尼茨工业大2年学博士后，2022年5月，合肥工业大学教授。第二完成人获2021年电工技术学会技术发明二等奖1项，主持、参与多项国家项目和企业项目(30余项)，发表高水平论文70余篇，其中SCI检索论文30余篇，申请专利30余项。研究方向为功率器件(IGBT、SiC MOSFET和GaN器件)封装、可靠性和失效机理研究，如可靠性测试方法、测试技术、失效分析以及寿命状态监测等。
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